特許

J-GLOBAL ID：200903099272312313

半導体装置

発明者： 高宮 三郎 ,  飯山 宏一
出願人/特許権者： 金沢大学長
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-250953
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097453
出願日： 1997年09月16日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 従来の電解効果トランジスタはチャネル層がソース側からドレイン側に渉って一様な材料で作られている。禁制帯幅が狭い材料ほど電子移動度が高くなることから、高速化のための電子移動度の高い材料の選択は必然的に禁制帯幅が狭い材料の選択に繋がる。しかし、禁制帯幅が狭い材料を選択すると、素子の降伏電圧が低下するという問題点があった。【解決手段】 半導体層を含む基体(1)にソース領域(B1)、ゲート領域(B2)、およびドレイン領域(3)が形成され、ゲート領域(B2)のチャネル層をゲート領域に形成されたゲート電極(5)により制御する電界効果型の半導体装置において、前記チャネル層の禁制帯幅をドレイン領域の禁制帯幅より狭くしたことを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体層を含む基体にソース領域、ゲート領域、およびドレイン領域が形成され、ゲート領域のチャネル層をゲート領域に形成されたゲート電極により制御する電界効果型の半導体装置において、前記チャネル層の禁制帯幅をドレイン領域の禁制帯幅より狭くしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/80

FI (3件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/80 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電界効果型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-204232   出願人：富士通株式会社
• 特開昭62-232969
  
• 特開平4-321235