特許

J-GLOBAL ID：200903099299031405

金属膜の形成方法

発明者： 山本 浩 ,  竹安 伸行 ,  片桐 智治 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-314996
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163706
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、配線の微細化が進んだ半導体装置における低い抵抗と高い信頼性を持つ配線を作製するための配線用の金属膜の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明に係る金属膜の形成方法は、半導体装置内に設けられる金属配線として用いられる金属膜80の形成方法において、基板本体10の上方に形成された絶縁膜40にヴィアプラグ埋め込み用の開孔50を穿設する第1の工程と、開孔50の穿設された絶縁膜40の表面上に、スパッタ法を用いてAl若しくはAl合金のいずれか一方を堆積させ、スパッタ膜60を形成する第2の工程と、Al成分を含んだガスを供給し、化学反応によりスパッタ膜60の表面上にAl膜70を形成する第3の工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体装置内に設けられる金属配線として用いられる金属膜の形成方法において、基板上形成された絶縁膜にヴィアプラグ埋め込み用の開孔を穿設する第1の工程と、前記開孔の穿設された前記絶縁膜の表面上に、スパッタ法を用いてAl若しくはAlに他の金属元素を添加したAl合金のいずれか一方を堆積させ、スパッタ膜を形成する第2の工程と、Al成分を含んだガスを供給し、化学反応により前記スパッタ膜の表面上にAl膜を形成する第3の工程とを有することを特徴とする金属膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/90 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-151481   出願人：ソニー株式会社