特許

J-GLOBAL ID：200903099303673255

ナノカーボン材料のパターン形成方法、並びに、半導体デバイス及びその製造方法

発明者： 川上 総一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 渡辺 敬介 ,  山口 芳広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-162966
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347378
出願日： 2004年06月01日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】 ナノカーボン材料を応用した電界効果トランジスタやFEDなどのデバイスの作製のための、ナノカーボン材料のパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板上にナノカーボン材料層を形成する工程、前記ナノカーボン材料層の上に、少なくとも、亜鉛、スズ、インジウム、アルミニウム、チタンからなる群から選択される金属からなる第一の金属層の所望パターンを形成する工程、前記第一の金属層のパターンをポジティブパターンとするマスクとして、酸素プラズマを照射してナノカーボン材料層をエッチングする工程、を少なくとも含む工程でナノカーボン材料のパターンを形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ナノカーボン材料層のパターン形成方法において、 基板上にナノカーボン材料層を形成する工程、 前記ナノカーボン材料層の上に、少なくとも、亜鉛、スズ、インジウム、アルミニウム、チタンからなる群から選択される金属からなる第一の金属層の所望パターンを形成する工程、 前記第一の金属層のパターンをポジパターンとするマスクとして、酸素プラズマに曝してナノカーボン材料層をエッチングする工程、 を含むことを特徴とするナノカーボン材料のパターン形成方法。

IPC (6件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786

FI (6件)：

H01L21/302 104Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L21/88 C ,  H01L21/88 M ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C

Fターム (44件)：

5F004BA04 ,  5F004BB14 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA05 ,  5F004EA10 ,  5F004EB02 ,  5F004FA08 ,  5F033HH00 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭素系材料のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-255682   出願人：株式会社神戸製鋼所