特許
J-GLOBAL ID：200903079040595601
炭素系材料のエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-255682
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075960
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 特別な加熱を必要とせず、極めて良好な平坦性及びマスク選択比を保ち、且つマスク形状に忠実な形状及び高いエッチング速度を得ることができる炭素系材料のエッチング方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド上のエッチングすべき部分以外の領域をSi酸化物からなるマスクにより被覆し、対向電極又は反応容器を基準として陰極に500V以上、好ましくは1000V以上の高周波電位を印加して、O2、Ar、又はO2及びArの混合ガスから生成したプラズマにダイヤモンドを曝してダイヤモンドをエッチングする。
請求項（抜粋）：
被エッチング材上のエッチングすべき部分以外の領域を酸素プラズマ耐性材料からなるマスクにより被覆する工程と、対向電極又は反応容器を基準として陰極に500V以上の高周波電位を印加し、酸素原子を含有する気体から生成したプラズマに前記被エッチング材を曝して前記被エッチング材をエッチングする工程と、を有することを特徴とする炭素系材料のエッチング方法。
Fターム (13件)：
5F004AA04
, 5F004AA05
, 5F004BA20
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DA30
, 5F004DB00
, 5F004EA04
