特許
J-GLOBAL ID:200903099327042604
有機物の分解方法、および半導体素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-003941
公開番号(公開出願番号):特開2001-196348
出願日: 2000年01月12日
公開日(公表日): 2001年07月19日
要約:
【要約】【課題】 レジスト材料に代表されるような有機物を好適に分解することが可能な有機物の分解方法を提供すること。【解決手段】 本発明の第1の方法は、有機物に紫外線を照射し、次いで、かかる有機物をオゾン含有水で処理することを特徴とする。本発明の第2の方法は、有機物に紫外線を照射しつつ、かかる有機物をオゾン含有水で処理することを特徴とする。紫外線の波長は、150〜380nm程度とすることが好ましい。紫外線の照射強度は、1〜500mW/cm2程度とすることが好ましい。オゾン含有水のオゾン濃度は、1〜200ppm程度とすることが好ましい。オゾン含有水で有機物を処理する際の処理時間は、30秒〜300分程度とすることが好ましい。オゾン含有水の温度は、10〜90°C程度とすることが好ましい。
請求項(抜粋):
有機物に紫外線を照射し、次いで、該有機物をオゾン含有水で処理することを特徴とする有機物の分解方法。
IPC (5件):
H01L 21/304 647
, B01J 19/12
, G03F 7/42
, H01L 21/027
, H01L 21/306
FI (5件):
H01L 21/304 647 Z
, B01J 19/12 Z
, G03F 7/42
, H01L 21/30 572 B
, H01L 21/306 D
Fターム (26件):
2H096AA25
, 2H096HA11
, 2H096LA02
, 2H096LA03
, 4G075AA22
, 4G075AA24
, 4G075BA04
, 4G075BA05
, 4G075BA06
, 4G075BC06
, 4G075CA33
, 4G075CA57
, 4G075DA02
, 4G075EB31
, 4G075FC09
, 4G075FC13
, 4G075FC20
, 5F043AA37
, 5F043BB25
, 5F043BB27
, 5F043CC16
, 5F043DD07
, 5F043DD08
, 5F046MA02
, 5F046MA04
, 5F046MA05
引用特許:
審査官引用 (3件)
-
有機質汚れの高度洗浄方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-035497
出願人:株式会社ササクラ
-
特開平4-369222
-
半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-331555
出願人:アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
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