ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-135553
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349782
出願日： 1993年06月07日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 β-SiC(シリコンカーバイド)膜2、ダイヤモンド膜3、a-C:H(アモルファス・カーボン)等の炭素系無機材料膜を、実用的なプロセスで異方性エッチングする。【構成】放電解離条件下でF* (フッ素ラジカル)と遊離のS(イオウ)を生成できるエッチング・ガスを用いる。炭素系無機材料膜はCFx ,SiFx 等の形で除去される。遊離のSが形成するS堆積層6によりトレンチ5の側壁面が保護され、異方性加工が実現する。エッチング・ガスに窒素系化合物を添加し、窒化イオウ系堆積層7を側壁保護に利用しても良い。【効果】主エッチング種としてO* (酸素ラジカル)を用いないので、レジスト・マスク4をエッチング・マスクとして使える。また、側壁保護に炭素系ポリマーを用いないので、パーティクル汚染を防止できる。

請求項（抜粋）：

放電解離条件下で少なくともフッ素ラジカルと遊離のイオウとを生成し得るエッチング・ガスを用い、被エッチング領域上にイオウ系堆積物を堆積させながら炭素系無機材料膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

引用特許：

出願人引用 (2件)

ドライエツチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-301281 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-076436

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