特許
J-GLOBAL ID：200903099358982737
R-T-B系希土類永久磁石
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-088195
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296848
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】低い着磁磁界でより高い着磁率を得るとともに、着磁特性曲線がより低高磁界側に存在するR-T-B系希土類永久磁石を提供する。【解決手段】R2T14B相(ただし、RはYを含む希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)からなる主相と、主相よりRを多く含む粒界相とを備えた焼結体からなり、Pc(パーミアンス係数)が2において、240kA/mの有効磁場(ただし、有効磁場=印加磁場-反磁場)を印加したときのトータルフラックスをf1、800kA/mの有効磁場を印加したときのトータルフラックスをf2、2000kA/mの有効磁場を印加したときのトータルフラックスをf3とすると、着磁率a(=f1/f3×100)が40%以上、かつ、着磁率b(=f2/f3×100)が90%以上であることを特徴とするR-T-B系希土類永久磁石。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
R2T14B相(ただし、RはYを含む希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)からなる主相と、
前記主相よりRを多く含む粒界相とを備えた焼結体からなり、
Pc(パーミアンス係数)が2において、
240kA/mの有効磁場(ただし、有効磁場=印加磁場-反磁場)を印加したときのトータルフラックスをf1、
800kA/mの有効磁場を印加したときのトータルフラックスをf2、
2000kA/mの有効磁場を印加したときのトータルフラックスをf3とすると、
着磁率a(=f1/f3×100)が40%以上、かつ、
着磁率b(=f2/f3×100)が90%以上であることを特徴とするR-T-B系希土類永久磁石。
IPC (3件)：
H01F1/053
, C22C38/00
, H01F1/08
H01F1/04 H
, C22C38/00 303D
, H01F1/08 B
5E040AA04
, 5E040BD01
, 5E040CA01
, 5E040NN01
, 5E040NN06
, 5E040NN12
, 5E040NN13
, 5E040NN14
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (2件)
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