特許
J-GLOBAL ID：200903099394590403
化合物半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227689
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097442
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】キャリアプロファイルが急峻なpn接合を有する結晶欠陥の少ない可変容量ダイオード用エピタキシャルウェハを得る。【構成】n+ 型GaAs基板上に、キャリア濃度が厚さ方向に変化しているn型GaAs層と、高濃度のp+ 型GaAs層とを順次積層して可変容量ダイオード用の化合物半導体エピタキシャルウェハを作製する。このエピタキシャルウェハを構成するp+ 型GaAs層中のアクセプタ不純物は亜鉛ではなく、炭素とする。アクセプタを炭素とすることにより、GaAs中の拡散係数がはるかに小さく、pn接合界面のキャリアプロファイルが急峻になり、結晶欠陥も作成されにくくなる。
請求項（抜粋）：
n+ 型GaAs基板上に、キャリア濃度が厚さ方向に変化しているn型GaAs層と、高濃度のp+ 型GaAs層とを順次積層した可変容量ダイオード用の化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記p+ 型GaAs層中のアクセプタを炭素としたことを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。
引用特許：
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