特許
J-GLOBAL ID：200903099403221718
太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 市太郎
, 寺山 啓進
, 三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-255420
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088203
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】半導体基板に形成された貫通孔の内壁面におけるパッシベーション効果を向上した太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 i型非晶質シリコン層14とp型非晶質シリコン層15とは、n型単結晶シリコン基板11が有する貫通孔内に入り込み、i型非晶質シリコン層12とn型非晶質シリコン層13とは、n型単結晶シリコン基板11が有する貫通孔内に入り込む。貫通孔の内壁面は、i型非晶質シリコン層14とi型非晶質シリコン層12とによって覆われている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
受光面と、前記受光面の反対に設けられた裏面と、前記受光面から前記裏面まで貫通する貫通孔とを有する半導体基板と、
前記受光面上に形成された第1受光面側非晶質半導体層と、
前記第1受光面側非晶質半導体層上に形成された第2受光面側非晶質半導体層と、
前記裏面上に形成された第1裏面側非晶質半導体層と、
前記第1裏面側非晶質半導体層上に形成された第2裏面側非晶質半導体層と、
前記貫通孔内に設けられ、絶縁層によって前記第1裏面側非晶質半導体層及び前記第2裏面側非晶質半導体層と絶縁された導電体と
を備え、
前記第1受光面側非晶質半導体層と前記第1裏面側非晶質半導体層とは、i型の導電型を有しており、
前記第1受光面側非晶質半導体層と前記第2受光面側非晶質半導体層とは、前記貫通孔内に入り込み、
前記第1裏面側非晶質半導体層と前記第2裏面側非晶質半導体層とは、前記貫通孔内に入り込んでおり、
前記貫通孔の内壁面は、前記第1受光面側非晶質半導体層と前記第1裏面側非晶質半導体層とによって覆われている
ことを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F051AA05
, 5F051DA04
, 5F051FA02
, 5F051FA15
, 5F051GA04
, 5F051GA15
, 5F051GA20
, 5F051JA04
, 5F051JA05
, 5F051JA06
出願人引用 (1件)
審査官引用 (3件)
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特開昭64-082570
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光起電力装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-082152
出願人：三洋電機株式会社
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特開昭64-082570
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