特許
J-GLOBAL ID：200903099406899375
基板処理方法及び基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-008796
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209050
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：
【要約】【課題】 基板上に形成されたレジストパターンの線幅を精密に制御でき、基板ごと又は基板面内での線幅の均一性を向上させることができる基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。【解決手段】 線幅の変動に最も影響を与えるおそれのあるパラメータの1つとして加熱処理の温度があげられるが、特に現像処理前の加熱処理温度に着目し、この加熱温度が高いほど線幅が小さくなる傾向にあることがわかっている。従って、例えば、現像後のレジストパターンの線幅を測定し、この測定結果に基づいて例えば線幅が所定より小さければ加熱温度を所定より上げる等の制御を行うことにより、精密に線幅を制御することができ、所望のレジストパターンを得ることができる。
請求項（抜粋）：
基板上にレジスト膜を形成した後、現像処理前に基板に対し熱処理を行うことにより、所望のレジストパターンを形成する基板処理方法において、前記現像処理後に形成されたレジストパターンの形状を認識する工程と、前記認識結果に基づき前記熱処理の温度を制御する工程とを具備することを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/38 511
G03F 7/38 511
, H01L 21/30 566
, H01L 21/30 502 V
2H096AA25
, 2H096FA01
, 2H096GB03
, 2H096GB07
