特許

J-GLOBAL ID：200903099438499140

半導体基板の熱処理方法、半導体装置の製造方法、及び熱処理装置

発明者： 山下 幸司
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-404593
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167005
出願日： 2003年12月03日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】 不純物の濃度プロファイルを動かすことなく、且つ、基板の機械的強度を低下させることなく、注入不純物を活性化させる。【解決手段】 シリコン基板2上にゲート絶縁膜8を形成し、ゲート絶縁膜8上にゲート電極10を形成し、エクステンション領域14を形成する。ゲート電極10の側壁にサイドウォール16を形成した後、このサイドウォール16及びゲート電極10をマスクとして不純物を注入する。その後、予備加熱ランプ31を用いてシリコン基板2の表面から基板表層のみを予備加熱した後、フラッシュランプ32を用いてシリコン基板2の極表層を加熱することにより、注入不純物を活性化させ、ソース/ドレイン領域18を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

予備加熱ランプを1秒以下の時間点灯させて、不純物が注入された半導体基板を予備加熱する工程と、 フラッシュランプを0.01秒以下の時間点灯させて、前記予備加熱された半導体基板を加熱する工程と、 を含むことを特徴とする半導体基板の熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L21/265 ,  H01L21/26 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/265 602B ,  H01L21/26 G ,  H01L29/78 301F

Fターム (19件)：

5F140AA13 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-185757   出願人：大日本スクリーン製造株式会社