特許
J-GLOBAL ID：200903070786861938
熱処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大坪 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-185757
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007633
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 基板を短時間に処理温度まで昇温させることによりイオンの拡散を防止することができ、また、フラッシュ加熱手段から出射される閃光の光量に変化が生じた場合においても基板を安定して熱処理することが可能な熱処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 熱処理装置は、半導体ウエハーWを予備加熱するハロゲンランプ22と、半導体ウエハーWに対して閃光を照射することによりハロゲンランプ22で予備加熱された半導体ウエハーWを処理温度まで昇温させるキセノンフラッシュランプ21と、キセノンフラッシュランプ21から出射される閃光の光量に応じて対応するハロゲンランプ22による予備加熱温度を制御する制御部50とを備える。
請求項（抜粋）：
基板に光を照射することにより基板を熱処理する熱処理装置において、基板を予備加熱するための複数のアシスト加熱手段と、前記アシスト加熱手段と対応して配置され、基板に対して閃光を照射することにより前記アシスト加熱手段で予備加熱された基板を処理温度まで昇温させるフラッシュ加熱手段と、前記各フラッシュ加熱手段から出射される閃光の光量に応じて対応するアシスト加熱手段による予備加熱温度を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする熱処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/26
, H01L 21/265 602
H01L 21/265 602 B
, H01L 21/26 G
, H01L 21/26 J
