半導体ウェーハ遊離砥粒研磨装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋元輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-108863
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302567
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】遊離砥粒によってウェーハ表面を高精度に鏡面研磨出来るようにした、半導体ウェーハ遊離砥粒研磨装置を得る。【構成】複数の遊離砥粒孔が形成された研磨板に、遊離砥粒孔に対応する複数の孔のあいた研磨布を貼付して形成された研磨手段と、研磨手段が装着されるスピンドル手段と、研磨手段に遊離砥粒を供給する遊離砥粒供給手段と、ウェーハを保持するチャックテーブルと、を少なくとも含む。

請求項（抜粋）：

複数の遊離砥粒孔が形成された研磨板に遊離砥粒に対応する複数の孔のあいた研磨布を貼付して構成された研磨手段と、この研磨手段が装着されるスピンドル手段と、この研磨手段に遊離砥粒を供給する遊離砥粒供給手段と、ウェーハを保持するチャックテーブルと、を少なくとも含む半導体ウェーハ遊離砥粒研磨装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , B24B 37/04

引用特許：

審査官引用 (5件)

研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-160682 出願人：ソニー株式会社
特開昭62-162467
特開平4-367227

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