特許

J-GLOBAL ID：200903099459499670

基板構造、発光装置、基板構造の製造方法および発光装置の製造方法

発明者： マイケル・アール・ティー・タン ,  アルバート・ティー・ユエン ,  シー・ユアン・ウォン ,  グラム・ハスナイン ,  ユウ・ミン・ホン
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-103288
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056201
出願日： 1997年04月21日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】n型基板上に高速、低消費電力面発光レーザあるいはLED形成する。【解決手段】p型表面を備えた実質的にn型の基板構造上に発光部分を形成する。この基板構造は、基板領域とバッファ領域を備えている。基板領域は、n型化合物半導体領域であり、縮退状態にnドープされた、第1の表面に隣接する領域が含まれている。バッファ領域は、p型ドーパントをドープした化合物半導体の領域で、第1の表面上に配置され、基板構造のp型表面を形成する表面を含んでいる。第1の表面隣接する部分は、縮退状態になるようにpドープされる。縮退状態にnドープされた部分と縮退状態にpドープされた部分との間はトンネル接合を形成する。

請求項（抜粋）：

p型表面を備えた実質的にn型の基板構造において、第1の表面及び第2の表面と、第1の表面に隣接し縮退状態にnドープされた部分とを含むn型化合物半導体からなる基板領域と、基板構造のp型表面を形成する基板領域から遠い方の表面と、基板領域の縮退状態になるようにnドープされた部分に隣接した、縮退状態になるようにpドープされた部分とを含む基板領域の第1の表面上に配置されたp型化合物半導体からなるバッファ領域と、基板領域の縮退状態になるようにnドープされた部分とバッファ領域の縮退状態になるようにpドープされた部分との間におけるトンネル接合とが含まれていることを特徴とする、基板構造。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 A ,  H01S 3/18

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 発光ダイオードの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-064528   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体レーザー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-356021   出願人：トヨタ自動車株式会社