特許

J-GLOBAL ID：200903099518776403

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子を有する装置、ナノコンタクト構造を備えた装置及びナノコンタクト構造の製造方法

発明者： ラシド シビア
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (3件)： 松山 圭佑 ,  高矢 諭 ,  牧野 剛博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-282705
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109499
出願日： 2004年09月28日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】安定して非常に高い抵抗値変化を得られる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子10は、反強磁性層13と、この反強磁性層13と交換結合されたピン層12と、媒体の磁場により磁気が回転又は切換えられるフリー層14と、前記フリー層14とピン層12との間の中間層20とを有してなり、前記中間層20は絶縁体18に囲まれた磁性粒子16を含んでなり、この磁性粒子16は、前記フリー層14とピン層12とをナノコンタクトにより接続する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化方向が実質的に固定されたピン層と、媒体の磁場により磁化方向が回転又は切換えられるフリー層と、前記フリー層とピン層との間の中間層とを有してなり、前記中間層は絶縁体に囲まれた磁性粒子を含んでなり、この磁性粒子は、前記フリー層とピン層とをナノコンタクトにより接続することを特徴とするナノコンタクトを備えた磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

FI (6件)：

H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447

Fターム (13件)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049CC01 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA60

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-316799   出願人：株式会社東芝