特許
J-GLOBAL ID：200903066401931453

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置

発明者：
橋本 進

橋本 進 について

, 
鴻井 克彦

鴻井 克彦 について

, 
佐橋 政司

佐橋 政司 について

, 
岩崎 仁志

岩崎 仁志 について

, 
福澤 英明

福澤 英明 について

, 
湯浅 裕美

湯浅 裕美 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-316799
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153248
出願日： 2003年09月09日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】 垂直通電型の磁気抵抗効果素子において、適当な抵抗値と、大きなMR変化量をもち、かつ磁気的に高感度となるようなスピンバルブ膜を磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【解決手段】 磁化方向が一方向に固着された第1の強磁性体膜を含む磁化固着層(4)と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第2の強磁性体膜を含む磁化自由層(6)と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、を有する磁気抵抗効果膜を備え、前記中間層は、相分離層(9)を含み、前記相分離層は、2種類以上の元素からなる合金の相分離により形成された第1及び第2の相を有し、前記第1の相(9A)と前記第2の相(9B)との電気抵抗の差による電流狭窄効果を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁化方向が実質的に一方向に固定された第1の強磁性層と、磁化方向が外部磁界に応じて変化する第2の強磁性層と、前記第1及び第2の強磁性層の間に形成された中間層と、を有する磁気抵抗効果膜と、 前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電可能とする、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極と、 複数種の元素からなる合金が固相内分離した第1及び第2の相を有し、前記第1及び第2の相の一方は他方よりも酸素、窒素、フッ素、及び炭素よりなる群から選択された少なくとも一つの元素を高い濃度で含有する、前記一対の電極間に形成された相分離層と、 を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (8件)：
H01L43/08 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C38/00 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12
FI (8件)：
H01L43/08 Z ,  C22C19/03 E ,  C22C19/07 C ,  C22C38/00 303A ,  G11B5/39 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447
Fターム (6件)：
5D034BA03 ,  5D034BA21 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM