特許
J-GLOBAL ID:200903099523382774

不揮発性メモリのデータ復旧方式

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 橋本 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-002632
公開番号(公開出願番号):特開2005-196515
出願日: 2004年01月08日
公開日(公表日): 2005年07月21日
要約:
【課題】不揮発性メモリのデータが誤って書き変わったことを的確に検知し、正規のデータの再書込みで復旧させる。【解決手段】EEPROM6は3つの異なるアドレスに同じデータを書込んでおく。比較器7は3つのデータの一致/不一致の多数決を取ることで誤ったデータ書込みが発生したか否かを判定する。書込回路8は比較器が誤ったデータ書込みの発生を検知したときに、EEPROMに正しいデータを再書込みする。 EEPROM、FPGA等の複数種類の不揮発性メモリを搭載し、各不揮発性メモリのいずれかに誤ったデータ書込みが発生したときのデータ復旧に、各不揮発性メモリには複数種類の異なるデバイスに同じデータを書込んでおき、各データの一致/不一致の多数決を取ることで誤ったデータ書込みがいずれの不揮発性メモリに発生したか否かを判定することも含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
EEPROM等の不揮発性メモリを搭載し、該不揮発性メモリに誤ったデータ書込みが発生したときのデータ復旧方式であって、 前記不揮発性メモリは、3つの異なるアドレスに同じデータを書込んでおき、 前記3つのデータの一致/不一致の多数決を取ることで誤ったデータ書込みが発生したか否かを判定する比較器と、 前記比較器が誤ったデータ書込みの発生を検知したときに、前記不揮発性メモリに正しいデータを再書込みする書込回路とを備えたことを特徴とする不揮発性メモリのデータ復旧方式。
IPC (1件):
G06F12/16
FI (1件):
G06F12/16 310L
Fターム (5件):
5B018GA04 ,  5B018HA06 ,  5B018KA22 ,  5B018QA04 ,  5B018RA11
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
  • 特開平1-128147
  • 特開昭62-017852
  • 特開平4-270433
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