特許
J-GLOBAL ID：200903099546921672
ホトリソグラフィー用洗浄液および基板の処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-297009
公開番号（公開出願番号）：特開2004-133153
出願日： 2002年10月10日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】特にバンプ形成等に用いられる厚膜のホトレジストパターンの基板からの剥離のみならず、該剥離したホトレジストパターンを、基板への再付着のないよう、洗浄液中で速やかに完全に溶解することができるホトリソグラフィー用洗浄液、および基板の処理方法を提供する。【解決手段】膜厚10〜150μmのホトレジストパターンを剥離・溶解するための洗浄液であって、(a)第4級アンモニウム水酸化物(テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドなど)を0.5〜15質量%、(b)水溶性有機溶媒(ジメチルスルホキシド、あるいはそれとN-メチル-2-ピロリドン、スルホラン等との混合溶媒など)を65〜97質量%、および(c)水を0.5〜30質量%含有するホトリソグラフィー用洗浄液、および基板の処理方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
膜厚10〜150μmのホトレジストパターンを剥離・溶解するための洗浄液であって、(a)下記一般式(I)
IPC (7件)：
G03F7/42
, C11D7/32
, C11D7/34
, C11D7/50
, C11D7/60
, C11D17/08
, H01L21/027
G03F7/42
, C11D7/32
, C11D7/34
, C11D7/50
, C11D7/60
, C11D17/08
, H01L21/30 572B
2H096AA25
, 2H096BA05
, 2H096LA03
, 4H003BA12
, 4H003DA15
, 4H003DB03
, 4H003EB12
, 4H003EB14
, 4H003EB19
, 4H003EB21
, 4H003ED02
, 4H003ED32
, 5F046MA02
