デバイス、薄膜形成方法及びデバイスの製造方法並びに電子機器

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：西和哉 , 志賀正武 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-172545
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004378
出願日： 2006年06月22日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】親液性を有するバンク層の外部に薄膜が形成されることを防止して画素領域外における発光を抑制できるデバイス、薄膜形成方法及びデバイスの製造方法並びに電子機器を提供すること。【解決手段】基板2と、基板2上に設けられて基板2を区画する開口42a、43aが形成された隔壁41と、基板2上のうち隔壁41で区画された領域内に形成される正孔注入層55とを備え、隔壁41は、基板2上に形成された親液層42と親液層42上に形成されて親液層よりも正孔注入層形成材料溶液に対する撥液性の高い撥液層43とを有すると共に、開口42aと開口43aとが平面視で互いに一致する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に設けられて前記基板を区画する開口が形成された隔壁と、前記基板上のうち前記隔壁で区画された領域内に形成された薄膜とを備えるデバイスであって、前記隔壁は、前記基板上に形成された親液層と前記親液層上に形成されて前記親液層よりも薄膜形成材料溶液に対する撥液性の高い撥液層とを有すると共に、前記親液層の開口と前記撥液層の開口とが平面視で互いに一致することを特徴とするデバイス。

IPC (5件)：

H05B 33/22 , H05B 33/12 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , G09F 9/00

FI (5件)：

H05B33/22 Z , H05B33/12 B , H05B33/10 , H05B33/14 A , G09F9/00 342Z

Fターム (18件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB04 , 3K107CC33 , 3K107CC36 , 3K107DD71 , 3K107DD89 , 3K107DD96 , 3K107GG08 , 3K107GG13 , 3K107GG24 , 5G435AA01 , 5G435AA14 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435CC09 , 5G435KK05 , 5G435LL07

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜、薄膜の製造方法、薄膜製造装置、有機EL装置、有機EL装置の製造方法、有機EL装置の製造装置、及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-079508 出願人：セイコーエプソン株式会社

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