特許

J-GLOBAL ID：200903099568416831

半導体レーザアレイ

発明者： 山田 博仁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-347016
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167878
出願日： 1995年12月14日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【目的】 同一変調信号によって複数のレーザ素子を駆動するマルチLD方式のレーザアレイにおいて、直列接続が可能であるようにして変調効率を高める。【構成】 半絶縁性基板5上にn-InPクラッド層6、活性層7、p-Inpクラッド層8を順に成長させた後、n-InPクラッド層6の途中までエッチングしてストライプ状のメサ構造を形成し、そのエッチング部分にp-InP電流ブロック層9、n-InP電流ブロック層10を形成する。その上にp+ -InPキャップ層11を形成した後、選択的にエッチングを行ってn-InPクラッド層6の表面を露出させ、更にn-InPクラッド層6を貫通して半絶縁性基板5に到達する素子分離用溝12を形成する。各素子毎にp側電極13とn側電極14を形成し、隣接する素子同士でp側電極13とn側電極14を接続する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の面に共通電極が形成され、他方の面に個々のレーザ素子毎のストライプ状の電極が形成されており、各ストライプ状の電極が電極の横方向の延長部により共通に接続されていることを特徴とする半導体レーザアレイ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/096

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/096

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-260878
  
• 特開平1-136387
  
• アレイ型半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-174369   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平1-199486