特許
J-GLOBAL ID：200903099582346854
SiC単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-175332
公開番号（公開出願番号）：特開2005-350324
出願日： 2004年06月14日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 高品質なSiC単結晶を高速安定成長させることができ、バルク単結晶の大径化にも薄膜単結晶の高品質化にも対応できる、SiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 SiCから成る原料棒と、溶媒と、種結晶と、種結晶を下端に支持した支持棒とを積層して構成した柱状ワークの外周を取り囲む断熱壁と、加熱用サセプタを介して柱状ワークの下端を加熱する加熱部と、冷却用サセプタを介して柱状ワークの上端を冷却する冷却部とを備えた温度勾配炉を用い、原料棒の下端を柱状ワークの下端として加熱部により加熱させると共に支持棒の上端を柱状ワークの上端として冷却部により冷却させることにより、溶媒の下端面に対して上端面が低温になるように柱状ワーク内に温度勾配を形成し、種結晶を起点として下方へ連続的にSiC単結晶を成長させる方法において、溶媒が、Siと、Yと、周期律表のIII B族から選択した少なくとも1種の元素とから成る。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
柱状ワークにその長手方向の温度勾配を付与する温度勾配炉を用いて溶液からの析出によりSiC単結晶を製造する方法であって、
上記温度勾配炉として、上記柱状ワークの外周を取り囲む断熱壁と、加熱用サセプタを介して該柱状ワークの下端を加熱する加熱部と、冷却用サセプタを介して該柱状ワークの上端を冷却する冷却部とを備えた温度勾配炉を用い、
上記炉内に下から順に、SiCから成る原料棒と、溶媒と、種結晶と、該種結晶を下端に支持した支持棒とを積層して上記柱状ワークを構成して、該原料棒の下端を該柱状ワークの下端として上記加熱部により加熱させると共に該支持棒の上端を該柱状ワークの上端として上記冷却部により冷却させることにより、上記溶媒の下端面に対して上端面が低温になるように上記柱状ワーク内に温度勾配を形成し、
上記種結晶を起点として下方へ連続的にSiC単結晶を成長させる方法において、
上記溶媒が、下記の成分:
Siと、
Yと、
周期律表のIII B族から選択した少なくとも1種の元素と、
から成ることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CC04
, 4G077EC05
, 4G077EG25
, 4G077HA06
