特許

J-GLOBAL ID：200903099582904393

MIM構造の容量素子及びそれを有する半導体集積回路装置

発明者： 黒川 敦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-275282
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102529
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 MIM構造の容量素子の、半導体基板上に形成した時に単位面積当たりで得られる容量値(容量密度)を高くする。また、前記MIM構造の容量素子を有する半導体集積回路装置を小型化する。【解決手段】 半導体基板上に、第1金属膜、第1絶縁膜、第2金属膜、第2絶縁膜、第3金属膜を順次積層してなり、前記第1金属膜と第3金属膜が電気的に接続され、前記第1金属膜、第1絶縁膜、第2金属膜により構成される第1容量と、前記第2金属膜、第2絶縁膜、第3金属膜からなる第2容量が並列に接続されており、前記第2容量の容量として機能する容量真性部が前記第1容量の容量として機能する容量真性部の内側に設けられているMIM構造の容量素子である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第1金属膜、第1絶縁膜、第2金属膜、第2絶縁膜、第3金属膜を順次積層してなり、前記第1金属膜と第3金属膜が電気的に接続され、前記第1金属膜、第1絶縁膜、第2金属膜により構成される第1容量と、前記第2金属膜、第2絶縁膜、第3金属膜からなる第2容量が並列に接続されており、前記第2容量の容量として機能する容量真性部が、前記第1容量の容量として機能する容量真性部の内側に設けられていることを特徴とするMIM構造の容量素子。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 F

Fターム (8件)：

5F038AC05 ,  5F038AC07 ,  5F038AC15 ,  5F038CA10 ,  5F038CA16 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-168762
  
• 特開平1-120858
  
• 多層膜キャパシタ構造及び方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-503681   出願人：ジェナムコーポレーション
• 特開平2-144958