MOS型半導体装置とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-201991
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098111
出願日： 1997年07月28日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】信頼性の高いMOS型半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】ゲート電極とソース拡散もしくはドレイン拡散のオーバーラップ部分に空隙が生じない様にCVD法による酸化膜もしくは窒化膜等の絶縁物を埋め込んだことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ゲート電極と半導体基板中に形成されているソース拡散およびドレイン拡散とのオーバーラップ部分の間の絶縁膜が複数種の絶縁膜からなることを特徴とするMOS型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 102 C , H01L 27/04 H , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

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