紫外線レーザ出力による導電性リンクの切断方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-552717
公開番号（公開出願番号）：特表2002-517902
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2002年06月18日
要約：

【要約】導電性リンク(42)、下部半導体基板(50)、及びパシベーション層(48及び54)を構成する材料の吸収特性を利用して、紫外線(UV)レーザ出力によって、基板(50)を損傷させずに、リンク(42)を効率的に除去する。UVレーザ出力は波長が短いので、慣例のIRレーザより小さいリンク除去スポット径(58)を形成し、これにより、さらに高い回路密度を実現することができる。レーザエネルギが減衰するように、リンクと基板の間に位置するパシベーション層をUVレーザエネルギに対して十分高吸収性にし、かつ十分厚くして、レーザビームスポット領域(43)内の基板(50)の、リンク外の部分及びリンクが重なった部分が共に損傷しないようにすることができる。UVレーザ出力を採用し、これを制御してリンク(42)の下にあるパシベーション層(54)の深さ方向の部分を切除して、リンク(42)の完全な除去を助長することができる。これに加えて、UVレーザ出力でのパシベーション層(48)直接切除は、リンクの切断が予測可能であり、かつ一貫性があるように助長する。またパシベーション材料の吸収特性は、隣接するリンクまたは他の活性構造部が損傷する恐れを低減する。

請求項（抜粋）：

上表面及びパシベーション層を含む集積回路のリンク構造内の半導体基板上に製造された導電性リンクを切断する方法において、前記パシベーション層が前記リンクと前記基板の間に位置し、前記リンクがリンク幅を有し、前記パシベーション層が高さ及び波長に感応する光吸収特性を有し、この方法が: 前記リンク構造の上表面上のスポット領域に分布するパワー密度によって特徴付けられたエネルギを有する所定波長の紫外線レーザ出力を発生して、これを前記リンク構造に指向させるステップを具え、前記スポット領域が、前記リンク幅、及び前記パシベーション層の前記リンクが重ならない隣接部をおおうものであり、前記パワー密度が前記リンクを切断するのに十分な大きさであり、前記パワー密度を前記パシベーション層と相互作用する前記所定波長と共に、前記パシベーション層の波長に感応する光吸収特性及び高さによって、前記リンクの切断中に、前記パシベーション層の前記リンクが重ならない隣接部が、該隣接部に入射する前記レーザ出力のリンク外エネルギを減衰させて、前記レーザ出力が前記基板を損傷させないようなものにすることを特徴とする導電性リンクの切断方法。

IPC (2件)：

H01L 21/82 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/82 F , H01L 21/88 Z

Fターム (21件)：

5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH19 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033LL04 , 5F033QQ53 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033WW01 , 5F033XX00 , 5F033XX36 , 5F064BB13 , 5F064BB14 , 5F064FF02 , 5F064FF27 , 5F064FF42 , 5F064GG05

引用特許：

審査官引用 (8件)

レーザによるマーク形成のシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-350402 出願人：ラザールカプランインターナショナル,インコーポレイティド
材料識別装置並びにレーザ加工装置及びレーザ成膜配線装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-271951 出願人：ホーヤ株式会社
特開昭63-110747

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