特許
J-GLOBAL ID：200903099642843429
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181887
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036427
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】 非晶質を基板とする簡易な構成の発光強度が高いLED等の半導体装置を得る。【構成】 窒素原子を含む気体からなるプラズマにより表面を処理した非晶質基板材料上に、III -V族窒化物半導体からなるヘテロ接合を含む積層構造を直接載置する。非晶質基板の裏面側に金属被膜を設ける。また、溝を形成した基板裏面に反射用途等の金属被膜を設ける。【効果】 単結晶材料に比較すれば廉価な非晶質材料基板上に、結晶化されたIII -V族窒化物半導体を成長できる。また、基板材料への金属被膜の形成はLEDにあっては簡易な構成をもって発光強度の向上をもたらす。
請求項（抜粋）：
Al、Ga若しくはInのうち少なくとも1種の第 III族元素と、少なくとも窒素を含む第V族元素とからなる III-V族窒化物半導体ヘテロ接合を、非晶質材料基板の表面上に直接堆積した積層構造から構成されてなる発光素子用の半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 A
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
