特許

J-GLOBAL ID：200903099691311963

固体撮像素子及びその製造方法

発明者： 原田 耕一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248102
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060191
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 フォトセンサのオーバーフローバリアを基板の深部に形成する場合に感度の向上と画素間の混色防止とを両立する。【解決手段】 下層基板となるn型シリコン基板10の上に、オーバーフローバリア層20が形成されており、その上層に高抵抗エピタキシャル成長層30が形成されている。オーバーフローバリア層20は、下層基板となるn型シリコン基板10に、高抵抗エピタキシャル成長層30を形成する前の段階で、n型シリコン基板10にボロン等のイオン注入を行うことにより形成される。このイオン注入を2段階で行い、全体的なバリア領域20Bと、垂直転送レジスタ120の下層の高濃度バリア領域20Aとを有する。この垂直転送レジスタ120の下層の高濃度バリア領域20Aにより、フォトセンサ110の周囲方向のバリア機能を強化し、感度の向上と画素間の混色防止とを両立する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に2次元マトリクス状に配列されたフォトセンサと、前記フォトセンサの信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送レジスタと、前記垂直転送レジスタから転送された信号電荷を出力部に転送する水平転送レジスタとを設け、前記フォトセンサのオーバーフローバリアを半導体基板表面から所定以上の深さ位置に形成した固体撮像素子において、前記オーバーフローバリアは、前記垂直転送レジスタに対応する領域及び/または垂直転送方向の各フォトセンサ間に対応する領域の不純物濃度が、それ以外の領域の不純物濃度より高濃度に形成されている、ことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 A

Fターム (23件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA04 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  5C024CX41 ,  5C024DX01 ,  5C024GX03 ,  5C024GY01 ,  5C024GZ01 ,  5F049MA01 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049PA01 ,  5F049PA10 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電荷結合デバイス型の固体撮像素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-021503   出願人：ソニー株式会社
• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-090175   出願人：ソニー株式会社