特許
J-GLOBAL ID：200903099693968005
フォトレジスト
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-113185
公開番号（公開出願番号）：特開平8-305015
出願日： 1995年05月11日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、高解像度と実用的な感度を有し、良好なパターン形状のレジストであり、取り分け基板上に形成された孤立と密集パターンの線幅が、反射の異なる下地基板やステッパーのNA,σ等が変わった条件下においても、安定して等しくなることを特徴とするレジストを提供することを目的とする。【構成】 アルカリ可溶性樹脂及びキノンジアジド系化合物を含む集積回路用フォトレジストにおいて、下記式(5)で規定される光学パラメータ、Aが、0.90〜1.30μm-1の範囲かつ下記式(6)で規定される光学パラメータ、Bが、0.05〜0.50μm-1の範囲であることを特徴とするフォトレジスト。【数5】A=1/d・ln[T(∞)/T(0)] (5)【数6】B=-1/d・ln[T(∞)] (6)式(5)及び(6)において、T(0);露光前のレジスト膜の光透過率T(∞);露光後、レジスト膜中の感光剤が完全に分解した時の光透過率d;レジスト膜厚
請求項（抜粋）：
アルカリ可溶性樹脂及びキノンジアジド系化合物を含む集積回路用フォトレジストにおいて、下記式(1)で規定される光学パラメータ、Aが、0.90〜1.30μm-1の範囲かつ下記式(2)で規定される光学パラメータ、Bが、0.05〜0.50μm-1の範囲であることを特徴とするフォトレジスト。【数1】A=1/d・ln[T(∞)/T(0)] (1)【数2】B=-1/d・ln[T(∞)] (2)式(1)及び(2)において、T(0);露光前のレジスト膜の光透過率T(∞);露光後、レジスト膜中の感光剤が完全に分解した時の光透過率d;レジスト膜厚
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 7/022
, H01L 21/30 502 R
