特許

J-GLOBAL ID：200903099697698410

ステンシルマスク、その製造方法、該ステンシルマスクを使用して製造される半導体デバイス、及びその製造方法

発明者： 芦田 勲
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203533
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017397
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 従来の有限要素法応力解析を用いたステンシルマスクのパターン補正では対象とするステンシル孔が非常に多く、実用化が不可能な非現実的な処理時間を必要としていた。本発明は、パターン補正を実用的に適用可能な比較的短時間で実施して製造されるステンシルマスクを提供することを目的とする。【解決手段】 応力解析により、ステンシルマスクパターンデータを補正する際に、各ステンシル孔パターンのうちの所定サイズ以上のステンシル孔を用いて変位量算出を行う。これにより、工業的に適用可能な比較的短時間で補正されたパターンを有するステンシルマスクパターンデータが得られ、このパターンに基づいてステンシルマスクを製造すると、所望パターンが形成されたステンシルマスクが得られる。

請求項（抜粋）：

ステンシルマスクにおけるステンシル孔の開口に起因するステンシル孔形状の変位量を、平面応力解析を使用して各ステンシル孔パターンごとに算出し、該算出に基づいて孔パターンを補正して所望のパターン形状を得て、該パターン形状に基づいてステンシルマスクに所望パターン形状を形成するステンシルマスクの製造方法において、前記ステンシル孔パターンのうちの所定サイズ以上のステンシル孔パターンのみの変位量算出を行うことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (4件)：

G03F 1/16 A ,  G03F 1/16 B ,  G03F 1/16 E ,  H01L 21/30 541 S

Fターム (7件)：

2H095BA09 ,  2H095BA10 ,  2H095BB01 ,  5F056AA06 ,  5F056AA22 ,  5F056FA05 ,  5F056FA07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• パターン露光の補正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-143961   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社