イオン注入方法、及び、イオン注入装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005000072
公開番号（公開出願番号）：WO2005-066385
出願日： 2005年01月06日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

内包原子イオンに加速電極を用いて加速エネルギーを与え、堆積基板上に予め形成しておいた空のフラーレン膜に内包原子を注入する内包フラーレンの製造方法では、イオンビームを構成する荷電粒子が同一極性のイオンである内包原子イオンのみであるので、荷電粒子間で斥力が働き、特に、低エネルギーのイオン注入においてイオンビームが発散するため、フラーレン膜に高密度のイオンを注入することが困難で、内包フラーレンの収率が低いという問題があった。内包原子イオンからなる荷電粒子及び該内包原子イオンと反対極性の荷電粒子とを含むプラズマを、磁場発生手段により発生させた均一磁場により、堆積基板上の空のフラーレン膜まで輸送し、該堆積基板に印加したバイアス電圧により内包原子に加速エネルギーを与え、該フラーレン膜に内包原子を注入することにした。プラズマを構成する荷電粒子間に引力が働きプラズマが発散しないので、低エネルギーのイオン注入においても、高密度のイオン注入が可能であり、内包フラーレンの収率を向上できる。

請求項（抜粋）：

プラズマ生成手段により、少なくとも注入イオン及び前記注入イオンと反対極性の荷電粒子を含むプラズマを発生させ、磁場の作用により前記プラズマを堆積基板上に輸送し、前記堆積基板に印加したバイアス電圧により前記注入イオンに加速エネルギーを与え、前記堆積基板に向けて前記プラズマを照射し、前記堆積基板上の材料膜に前記注入イオンを注入することを特徴とするイオン注入方法。

IPC (8件)：

C23C 14/48 , C23C 14/06 , C01B 31/02 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01M 8/02 , H05B 33/10 , H01L 51/50

FI (8件)：

C23C14/48 A , C23C14/06 F , C01B31/02 101F , H01L29/28 100A , H01L29/28 310L , H01M8/02 P , H05B33/10 , H05B33/14 A

Fターム (28件)：

3K107AA01 , 3K107CC04 , 3K107DD76 , 3K107DD78 , 3K107DD82 , 3K107GG02 , 3K107GG28 , 3K107GG32 , 4G146AA07 , 4G146BA04 , 4G146CB16 , 4G146CB21 , 4G146DA03 , 4G146DA16 , 4K029BA34 , 4K029CA01 , 4K029CA10 , 4K029CA13 , 4K029DB03 , 4K029DB18 , 4K029EA00 , 4K029JA10 , 4K029KA03 , 5H026AA06 , 5H026CX05 , 5H026EE17 , 5H032AA06 , 5H032CC17

引用特許：

出願人引用 (1件)

イオンビーム装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-340297 出願人：株式会社日立製作所

前のページに戻る