特許
J-GLOBAL ID：200903099724852892

光半導体装置の製造方法

発明者：
阪田 康隆

阪田 康隆 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266645
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112102
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】MOVPE選択成長法を用いてInGaAsP系の半導体光導波路構造の直接形成を行う場合、導波路断面を平坦にし、良好な結晶性を実現する。【解決手段】V族原料は連続的に供給する一方、III族原料の供給をパルス的に行い、V族待機中にIII族原料の半導体表面でのマイグレーションを促進させる。これにより、MOVPE選択成長で直接形成する半導体層の結晶品質が大幅に向上し、表面が平坦になる。
請求項（抜粋）：
半導体層からなる光導波路を、選択的有機金属気相成長法によって直接半導体基板上に形成する光半導体装置の製造方法において、前記選択的有機金属気相成長における原料の供給をパルス的に行う事を特徴とする光半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (2件)

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