特許
J-GLOBAL ID:200903099752832627
プラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-288769
公開番号(公開出願番号):特開2004-128141
出願日: 2002年10月01日
公開日(公表日): 2004年04月22日
要約:
【課題】長寿命なマイクロ波発振器を備えたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマエッチング装置1は、チャンバ11と、所定電力のマイクロ波を発振するマイクロ波発振器30と、マイクロ波発振器30から出力された後にマイクロ波発振器30へ戻ろうとする反射マイクロ波を吸収するアイソレータ35と、マイクロ波をチャンバ11の処理空間17に向けて放射するアンテナ13と、アンテナ13からの反射マイクロ波を低減するマッチャー36とを有する。マイクロ波発振器30は、所定周波数のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器31と、マイクロ波発生器31から発振されたマイクロ波を複数のマイクロ波に分配する分配器32と、分配器32から出力された複数のマイクロ波を個別に半導体増幅素子42によって所定の電力に増幅する複数のアンプ33と、アンプ33によって増幅されたマイクロ波を合成する合成器34と、を有する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
被処理基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内に処理ガスを供給するガス供給装置と、
前記チャンバ内にプラズマ生成用のマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置と、
を具備し、
前記マイクロ波導入装置は、低電力のマイクロ波を半導体増幅素子によって増幅させることにより前記チャンバ内に放射する大電力のマイクロ波を生成するアンプを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H01L21/3065
, C23C16/511
, H01L21/205
, H05H1/46
FI (5件):
H01L21/302 101D
, C23C16/511
, H01L21/205
, H05H1/46 B
, H05H1/46 R
Fターム (17件):
4K030CA04
, 4K030FA02
, 4K030KA30
, 4K030KA41
, 5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB14
, 5F004BC08
, 5F004BD04
, 5F045AA03
, 5F045BB10
, 5F045BB20
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EH02
, 5F045EH04
, 5F045EH19
引用特許:
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