特許
J-GLOBAL ID：200903099773811310
レーザアニール装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-059585
公開番号（公開出願番号）：特開平7-266064
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：
【要約】【目的】 レーザ光を照射してシリコン薄膜の再結晶化などを行うレーザアニール装置において、レーザ光の照射部分の継ぎ目部分の不均一性を抑えるとともに再結晶化に要する時間を短縮する。【構成】 レーザ1からのレーザ光2をアッティネータ3でそのエネルギを変化させ、ホモジナイザ4でエネルギ均一性を高め、レンズ系5でレーザ光2の大きさを定めたのち、ビーム分割系6に送り、複数のレーザ光2a,2bに分割して、2次元移動する基板7上のシリコン膜8に照射する。
請求項（抜粋）：
レーザ光を発振するレーザと、前記レーザ光内のエネルギ均一性を向上させるホモジナイザと、前記レーザ光を所定の大きさに変化させる光学系と、前記レーザ光を基板上に2次元に照射するための移動機構と、前記基板を減圧中に保持することができる真空チャンバーからなるレーザアニール装置において、前記光学系からのレーザ光を複数に分割して基板に照射する分割光学系を具備したことを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (13件)：
B23K 26/00
, B23K 26/06
, B23K 26/12
, C21D 1/09
, C21D 1/34
, C22F 3/00
, C30B 29/06
, H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01S 3/10
, H01S 3/225
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01S 3/223 E
, H01L 29/78 311 Y
