特許
J-GLOBAL ID：200903099778763119
多結晶半導体の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-177360
公開番号（公開出願番号）：特開平11-021120
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月26日
要約：
【要約】【課題】 高品質で結晶学的に優れる半導体多結晶インゴットを製造する。【解決手段】 密閉容器1内を、半導体に対して不活性な雰囲気に保つ。るつぼ9内に半導体材料17を装入し、半導体材料17を誘導加熱コイル5によって加熱融解させる。るつぼ9の底部から熱を奪いながら凝固させ、多結晶半導体を製造する。下方から上方に向う一方向の凝固工程で、半導体材料17の凝固速度が一定となるように、熱放出量を予め求められる関係に従って変化させながら、半導体結晶の成長を行わせる。
請求項（抜粋）：
半導体に対して不活性な雰囲気下で、るつぼ内に半導体材料を装入し、るつぼ内で半導体材料を加熱手段によって加熱融解し、るつぼ底部から熱を奪いながら融解した半導体材料を凝固させ、続いてるつぼを冷却しながら、凝固した半導体を冷却させる多結晶半導体の製造方法において、半導体材料の固液界面が移動する凝固の速度と熱放出量との関係を予め求めておき、融解した半導体材料を凝固させる際に、凝固速度が一定になるように、予め求められている関係に従って、熱放出量を時間に対して変化させることを特徴とする多結晶半導体の製造方法。
IPC (8件)：
C01B 33/02
, C01B 33/037
, C30B 11/00
, C30B 21/02
, C30B 28/06
, C30B 29/06
, H01L 21/208
, H01L 31/04
C01B 33/02 E
, C01B 33/037
, C30B 11/00
, C30B 21/02
, C30B 28/06
, C30B 29/06 D
, H01L 21/208 T
, H01L 31/04 X
