特許
J-GLOBAL ID：200903099795201183
絶縁膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-073883
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274090
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 良質の絶縁膜を低温、低ダメージで形成することができ、さらに酸素欠損が少なく、絶縁耐圧が充分である絶縁膜を形成する。【構成】 シリコン(Si)またはシリコンモノオキサイド(SiO)を加熱蒸発させる第1の工程と、窒素を含有するガスを導入して第1の工程で蒸発させたシリコンまたはシリコンモノオキサイドを窒素と気相反応させる第2の工程とをとって、シリコンナイトライド(SiN)またはシリコンオキシナイトライド(SiON)による絶縁膜を被形成面上に形成する。
請求項（抜粋）：
シリコンまたはシリコンモノオキサイドを加熱蒸発させる第1の工程と、窒素を含有するガスを導入して上記第1の工程で蒸発させたシリコンまたはシリコンモノオキサイドを窒素と気相反応させる第2の工程とをとって、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドによる絶縁膜を被形成面上に形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
引用特許：
前のページに戻る
