強磁性強誘電体薄膜とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-090422
公開番号（公開出願番号）：特開平11-286774
出願日： 1998年04月02日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】異質メカニズムとの共存とによる増大された情報量での記録を可能とするメモリー媒体として有用な薄膜を提供する。【解決手段】次式ABO3(Aは、2価あるいは3価の金属元素を、Bは、3価あるいは4価の金属元素を示す)で表わされる化合物組成を有し、ペロブスカイト型結晶構造を持つ結晶化薄膜であって、強磁性強誘電体であることを特徴とする強磁性強誘電体薄膜とする。

請求項（抜粋）：

次式ABO3(Aは、2価あるいは3価の金属元素を、Bは、3価あるいは4価の金属元素を示す)で表わされる化合物組成を有し、ペロブスカイト型結晶構造を持つ結晶化薄膜であって、強磁性強誘電体であることを特徴とする強磁性強誘電体薄膜。

IPC (2件)：

C23C 14/08 , C23C 14/28

FI (2件)：

C23C 14/08 K , C23C 14/28

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-260695
特開平4-051407
特開平2-258700

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