特許
J-GLOBAL ID：200903099815267550
シリコンウェハー上の有機単分子膜の光パターニング
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-115642
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309061
出願日： 2002年04月18日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】 各種の機能素子などに利用され得る優れたパターン化シリコンウェハーを作製することのできる簡便で安価な光パターニング技術を提供する。【解決手段】 非酸素雰囲気下に室温〜110°Cの温度において、末端に不飽和結合を有する炭化水素(好ましくは、炭素数4〜18のアルケン)をきわめて低濃度で溶解させた無水有機溶媒中に、水素終端化シリコンウェハーを浸漬することにより、シリコンウェハー上に炭化水素の単分子膜を形成し、この炭化水素の単分子膜に、所定のパターンのフォトマスクを介して紫外線を照射することにより、シリコンウェハーの表面に所定のパターンを形成することから成る光パターンニング方法。ケイ素-炭素結合を介して炭化水素の単分子膜が表面を被覆し、所定のパターンに応じて表面にケイ素-水素結合またはケイ素-水素結合が発現しているパターン化シリコンウェハーが得られる。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハー表面を被覆している有機単分子膜に光を照射して所定のパターンを形成する光パターニング方法であって、(1)非酸素雰囲気下に室温〜110°Cの温度において、末端に不飽和結合を有する炭化水素を溶解させた無水有機溶媒中に、水素終端化シリコンウェハーを浸漬することにより、該シリコンウェハー上に前記炭化水素の単分子膜を形成する工程、および(2)前記炭化水素の単分子膜に、所定のパターンのフォトマスクを介して紫外線を照射することにより、前記シリコンウェハーの表面に前記所定のパターンを形成する工程、を含むことを特徴とする光パターニング方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, B82B 3/00
, G03F 7/09 501
, G03F 7/16
, H01L 21/312 ZNM
B82B 3/00
, G03F 7/09 501
, G03F 7/16
, H01L 21/312 ZNM D
, H01L 21/30 564 Z
, H01L 21/30 502 R
2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC01
, 2H025AD03
, 2H025CC20
, 2H025DA20
, 2H025EA07
, 5F046JA20
, 5F058AA03
, 5F058AC07
, 5F058AF04
, 5F058AG09
, 5F058AH01
