特許

J-GLOBAL ID：200903099820920033

半導体装置およびその製造方法

発明者： 牧田 直樹 ,  船井 尚
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-164381
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032074
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 通常の固相成長法で得られる結晶性よりさらに高い液晶性をもつ高品質な結晶性ケイ素膜を、生産性よく形成できるとともに、半導体層とその上の絶縁膜界面を清浄な状態に保つことができ、しかもこの際結晶化に要する加熱温度を580°C以下とし、コーニング7059ガラスに代表される安価なガラス基板を使用可能とできる半導体装置の製造方法を得る。【構成】 外気を遮断した状態で、ガラス基板101上に非晶質ケイ素膜102及び酸化ケイ素膜などの絶縁性薄膜103を続けて形成し、その後、該非晶質ケイ素膜102に、該非晶質ケイ素膜の結晶化を助長する触媒元素を、イオン注入法により上記絶縁性薄膜103を介して導入し、該触媒元素を導入した非晶質ケイ素膜102を加熱によって結晶化させるようにした。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板と、該基板の絶縁性表面上に形成され、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域と、該活性領域上に形成された絶縁性薄膜とを備え、該活性領域は、非晶質ケイ素膜の加熱処理による結晶化を助長する触媒元素を含むものである半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 23/15 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 23/14 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-164643   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所