特許
J-GLOBAL ID:200903099836079916
放電プラズマ焼結体とその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
亀井 弘勝 (外2名)
, 亀井 弘勝 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-120201
公開番号(公開出願番号):特開2000-313661
出願日: 1999年04月27日
公開日(公表日): 2000年11月14日
要約:
【要約】【課題】 良好なPTC特性を有し、耐久性にすぐれ、過酷な使用条件下で使用しても短期間で特性が劣化したり機能しなくなったりせず、各種の用途に広範に応用可能なチタン酸バリウム系半導体セラミックスの放電プラズマ焼結体と、その製造方法を提供する。【解決手段】 放電プラズマ焼結体は、密度の実測値(実測密度)と理論値(理論密度)とから式(1):焼結度(%)=(実測密度)/(理論密度)×100 (1)にて求められる焼結度を94%以上、室温での比抵抗(Ωcm)と、単位厚みあたりの絶縁破壊電圧(V/mm)とから、式(2):指標値=絶縁破壊電圧/比抵抗 (2)にて求められる指標値を0.5〜3.0に限定した。製造方法は、出発原料である0.5〜3μmの酸化物粉末を、所定の条件で放電プラズマ焼結したのち酸化処理する。
請求項(抜粋):
チタン酸バリウム系の半導体セラミックスからなる放電プラズマ焼結体であって、密度の実測値(実測密度)と理論値(理論密度)とから、式(1):【数1】によって求められる焼結度が94%以上で、かつ室温での比抵抗(Ωcm)と、単位厚みあたりの絶縁破壊電圧(V/mm)とから、式(2):【数2】によって求められる指標値が0.5〜3.0であることを特徴とする放電プラズマ焼結体。
IPC (2件):
FI (2件):
C04B 35/46 N
, C04B 35/64 E
Fターム (5件):
4G031AA06
, 4G031AA11
, 4G031BA05
, 4G031GA07
, 4G031GA16
引用特許:
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