低温シリコン化合物堆積

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 斎藤健治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-530121
公開番号（公開出願番号）：特表2008-511993
出願日： 2005年08月25日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

連続プロセスをバッチ反応チャンバ内で行って超高品質のシリコン含有化合物層、例えば窒化シリコン層を低温で形成する。反応速度制限条件化で、シラン前駆体としてトリシランを用いて基板上にシリコン層を堆積する(690)。トリシラン流を遮断する(692)。そしてシリコン層を窒素ラジカルで窒化することにより、例えばトリシランステップの後、プラズマ電力(リモートまたはインサイチュ)を律動的にオンすることより、窒化シリコン層を形成する(694)。窒素ラジカル供給を停止する(696)。場合によっては非活性化アンモニアも連続的にまたは間欠的に供給する。所望ならば、各トリシランおよびシリコン化合ステップの後、リアクタをパージして気相反応を回避し、各サイクルが約5〜7オングストロームの窒化シリコンを作製するプロセスを繰り返して厚さをより大きくする。

請求項（抜粋）：

複数の基板をトリシランの供給に露出することによりバッチプロセスチャンバ内で前記基板上にシリコン層を堆積すること(ここで前記シリコン層の反応速度制限堆積を達成するように前記プロセスチャンバ内のプロセス条件を選択する); 前記トリシランの供給を遮断すること、及び前記供給の遮断後に、前記シリコン層を反応種に露出することによりシリコン化合物層を形成することを含む集積回路の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 , C23C 16/42 , C23C 16/56 , H01L 21/31

FI (4件)：

H01L21/318 B , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/31 C

Fターム (41件)：

4K030AA06 , 4K030BA40 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AA15 , 5F045AA16 , 5F045AB04 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045BB02 , 5F045DP19 , 5F045EE19 , 5F045EE20 , 5F045EH01 , 5F045EH03 , 5F045EH11 , 5F045EH19 , 5F045HA22 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF08 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BF74 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BJ02 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-134175
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-208008 出願人：東京エレクトロン株式会社
励起された、および/またはイオン化された粒子をプラズマ内で発生するための装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-526335 出願人：アールスリーティー・ゲーエムベーハー・ラピッド・リアクティブ・ラジカルス・テクノロジ

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