特許

J-GLOBAL ID：200903099849063903

単結晶半導体材料製自立基板の製造方法

発明者： ジゼレン、ブルーノ ,  ルテートル、ファブリス ,  マズル、カルロス
出願人/特許権者： エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース
代理人 (2件)： 佐藤 正年 ,  佐藤 年哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-562365
公開番号（公開出願番号）：特表2005-515150
出願日： 2003年01月21日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

本発明は単結晶半導体材料製の自立基板の製造方法に関し、核生成薄層(5,5')と支持体(7)との間に解離可能な結合界面(9)を形成して核生成薄層を支持体上に移載する工程と、結合界面(9)の解離特性を維持しつつ核生成薄層(5,5')の上に基板構成材料からなる微細結晶厚肉層(10)をエピタキシャル法によって自立に充分な厚さになるまで成長させる工程とを備え、両工程で得られる積層体をエピタキシャル成長温度から冷却する際に支持体(7)と単結晶厚肉層(10)との材料間の熱膨張係数の差及び選択的に印加される外部機械的応力との組み合わせで誘起される応力により核生成薄層(5,5')及び厚肉層(10)が解離可能な結合界面(9)のレベルで支持体(7)から解離されるように、厚肉層(10)と支持体(7)との材料の熱膨張係数をエピタキシャル成長温度及び選択的に印加される外部機械的応力の関数として与えられる大きさの差だけ互いに異なるように選択しておくことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体材料製の自立基板(10)を製造する方法であって、 核生成薄層(5, 5')と支持体(7)との間に解離可能な結合界面(9)を形成して核生成薄層を支持体上に移載する工程と、 結合界面(9)の解離特性を維持しつつ、核生成薄層(5, 5')の上に基板構成材料からなる微細結晶厚肉層(10)をエピタキシャル法によって自立に充分な厚さになるまで成長させる工程とを備え、 前記両工程で得られる積層体に対するエピタキシャル成長温度からの冷却時において、支持体(7)と単結晶厚肉層(10)との材料間の熱膨張係数の差違及び選択的に印加される外部機械的応力との組み合わせで誘起される応力により、核生成薄層(5, 5')及び厚肉層(10)が解離可能な結合界面(9)のレベルで支持体(7)から解離されるように、厚肉層(10)と支持体(7)との材料の熱膨張係数をエピタキシャル成長温度及び選択的に印加される外部機械的応力の関数として与えられる或る大きさの差だけ互いに異なるように選択しておくことを特徴とする単結晶半導体材料製自立基板の製造方法。

IPC (5件)：

C30B29/38 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C30B25/02 ,  C30B29/04

FI (6件)：

C30B29/38 D ,  C30B29/38 C ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C30B25/02 Z ,  C30B29/04 Q

Fターム (34件)：

4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EE06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第6176925号明細書
  
• 米国特許出願公開第2001/0006845号明細書
  
• 米国特許出願公開第2001/0022154号明細書
  
• 欧州特許出願公開第1045431号明細書
  

審査官引用 (1件)

• 半導体基板の作製方法および半導体基板および半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-067498   出願人：株式会社リコー