磁気抵抗変換素子およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三反崎泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-356782
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230471
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】電子反射を改善することができる磁気抵抗変換素子およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】基体10の上にシード層12、バッファ層13、フリー層14、スペーサー層16、磁化方向被固定層18および磁化方向固定作用層20が順次積層されている。バッファ層13は、酸化ニッケル(II)またはα-酸化鉄(III )を含む金属酸化物により構成されており、フリー層14と類似する結晶構造および格子定数を有している。これにより、フリー層14とバッファ層13との界面における電子の反射率が向上し、抵抗変化率が向上する。

請求項（抜粋）：

基体上に、ニッケル・クロム合金、ニッケル・クロム・銅合金およびニッケル・鉄・クロム合金からなる群のうちのいずれかを含む磁気抵抗感度を向上させる材料からなるシード層を形成する工程と、前記シード層上に、酸化ニッケル(II)またはα-酸化鉄(III)を含む金属酸化物からなるバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に、強磁性のフリー層を形成する工程と、前記フリー層上に、非磁性導体からなるスペーサ層を形成する工程と、前記スペーサ層上に、強磁性の磁化方向被固定層を形成する工程と、前記磁化方向被固定層上に、磁化方向固定作用層を形成する工程と、前記磁化方向固定作用層上に、保護層を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気抵抗変換素子の製造方法。

IPC (12件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/00 , H01F 10/06 , H01F 10/12 , H01F 10/14 , H01F 10/16 , H01F 10/18 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 43/12

FI (12件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/00 , H01F 10/06 , H01F 10/12 , H01F 10/14 , H01F 10/16 , H01F 10/18 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 43/12 , G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-326822 出願人：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-276181 出願人：松下電器産業株式会社
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-058981 出願人：株式会社東芝

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