特許
J-GLOBAL ID：200903010567644090
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276181
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168250
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】【課題】 従来のスピンバルブ膜では、MR比が低かった。【解決手段】 交換バイアス磁界を付与する反強磁性体としてα-Fe2O3膜またはα-Fe2O3膜/NiO積層膜を用いることにより、大きなMR比を示す磁気抵抗効果素子を得る。
請求項（抜粋）：
非磁性基板上に直接または下地層を介して反強磁性体膜、第1の強磁性膜、非磁性膜および第2の強磁性膜を順次積層してなる多層膜から成る磁気抵抗効果素子であって、該反強磁性体膜は、α-Fe2O3膜を含んでおり、該多層膜の表面粗さが概略0.5nm以下である磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 41/18
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/08 A
, H01F 41/18
