特許
J-GLOBAL ID：200903099869790909
磁気連想メモリ及び磁気連想メモリからの情報読み出し方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西浦 ▲嗣▼晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-066147
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259206
出願日： 2004年03月09日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】不揮発特性と高集積化特性とを有し且つ高速での読み取りが可能な磁気連想メモリを提供する。【解決手段】導電線マトリックス中のデジット導電線7とビット導電線9との交点に対応する位置に、それぞれ擬スピンバルブ膜セルからなる記憶セル1を配置する。記憶セル1は、ソフト磁性層3とハード磁性層5とが非磁性層4を間に介して対向した構造を有する。列方向に並ぶ複数の記憶セル1を検出用導電線11A〜11Cにより電気的に直列接続して複数の記憶セル列13A〜13Cを構成する。ビット導電線9A〜9Cのそれぞれを検索データ入力線として用いる。検出用導電線11A〜11Cを情報読み出し用出力線として用いる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
列方向に並ぶ複数のデジット導電線と、行方向に並ぶ複数のビット導電線とが相互に電気的に絶縁された状態でマトリックスを構成するように配置されてなる導電線マトリックスと、
前記導電線マトリックス中の前記デジット導電線と前記ビット導電線との交点に対応する位置にそれぞれ1個ずつ配置された複数の擬スピンバルブ膜セルとを備え、
前記擬スピンバルブ膜セルが導電性を有する非磁性層を間に介して対向する磁化反転磁界の小さい少なくとも一層のソフト磁性層と前記磁化反転磁界が大きい少なくとも一層のハード磁性層とから構成され、
前記ハード磁性層の磁化の向きを前記デジット導電線及び前記ビット導電線に電流を流して発生する磁界により決定し、
前記ソフト磁性層の磁化の向きを前記ビット導電線に電流を流して発生する磁界によって決定するように構成された磁気連想メモリであって、
前記列方向に並ぶ複数の前記擬スピンバルブ膜セルが検出用導電線により電気的に直列接続されて複数の記憶セル列が構成され、
前記複数のビット導電線のそれぞれが検索データ入力線として用いられ、複数の前記検出用導電線が情報読み出し用出力線として用いられることを特徴とする磁気連想メモリ。
IPC (4件)：
G11C15/02
, G11C11/15
, H01L27/105
, H01L43/08
G11C15/02
, G11C11/15 150
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
