半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-306113
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120801
出願日： 2004年10月20日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】ソースドレインエクステンションからゲート絶縁膜へのボロンの拡散が抑制された信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を得ること。【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の上層部に所定の間隔で形成された一対のソースドレインエクステンションと、前記半導体基板上の前記一対のソースドレインエクステンションに挟まれた領域に前記ソースドレインエクステンションとオーバーラップする領域を有して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と前記ソースドレインエクステンションとのオーバーラップ領域に対応する領域のみが、窒素が導入された窒素導入領域とされている。【選択図】図1-1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上層部に所定の間隔で形成された一対のソースドレインエクステンションと、前記半導体基板上の前記一対のソースドレインエクステンションに挟まれた領域に前記ソースドレインエクステンションとオーバーラップする領域を有して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と前記ソースドレインエクステンションとのオーバーラップ領域に対応する領域のみが、窒素が導入された窒素導入領域とされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/318 , H01L 21/336 , H01L 27/092 , H01L 21/823 , H01L 29/786

FI (8件)：

H01L29/78 301G , H01L21/318 C , H01L29/78 301L , H01L27/08 321D , H01L27/08 321E , H01L29/78 617S , H01L29/78 616V , H01L29/78 617U

Fターム (101件)：

5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA12 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F048BH03 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F110AA01 , 5F110AA08 , 5F110AA09 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG32 , 5F110GG37 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F140AA00 , 5F140AA06 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD15 , 5F140BD16 , 5F140BD17 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF60 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG45 , 5F140BH35 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CB01 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CF04 , 5F140CF05

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-127127 出願人：三菱電機株式会社

前のページに戻る