特許
J-GLOBAL ID：200903012005508081
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-127127
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312393
出願日： 1996年05月22日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜の一部の窒素濃度を高めることにより、キャリアの移動度の低下をもたらすことなく信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート絶縁膜4aの両端部には窒素を含む窒素含有領域4dが設けられ、またゲート絶縁膜4aは、その膜厚さが均一に形成されている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の主表面に所定の間隔を隔てて形成された前記第1導電型とは反対の導電型の第2導電型の1対の不純物領域と、前記1対の不純物領域の間に形成されるチャネル領域と、前記チャネル領域の上に前記チャネル領域を含むように形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成された第1電極と、を備え、前記絶縁膜はその膜厚さが均一であり、前記1対の不純物領域に接する両端部に窒素を含む窒素含有領域を有する、半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78
, H01L 27/115
, H01L 21/336
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 29/78 301 G
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 301 L
, H01L 29/78 371
