特許

J-GLOBAL ID：200903099902258118

半導体発光素子とその製造方法

発明者： 大矢 昌輝
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328701
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163463
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 信頼性が高く、動作電流が低く、高耐圧のAlGaInP可視光半導体レーザ素子の構造と、その半導体レーザ素子を高い歩留まりで作製できる製造方法を提供する。【解決手段】 Alを含むダブルヘテロ構造上に、Alを含まないGaInP保護層を設け、その上に2本のストライプ状のマスクを形成し、選択成長によりメサおよびメサ脇の平坦部を形成し、メサおよび平坦部を覆うように電極を設けることを特徴とする。また、第1導電型GaAs基板上に、第1導電型AlGaInPクラッド層、活性層、第1の第2導電型AlGaInPクラッド層を含んで成るダブルヘテロ構造と、該構造上に、第2導電型GaInP保護層と、該保護層上に、第2の第2導電型AlGaInPクラッド層、第2導電型GaInP中間層、第2導電型GaAsコンタクト層を含んで成るストライプ状のメサを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型GaAs基板上に、少なくとも第1導電型AlGaInPクラッド層、GaInPまたはAlGaInPを含んで成る活性層、第1の第2導電型AlGaInPクラッド層を含んで成るダブルヘテロ構造を有し、前記ダブルヘテロ構造上に、第2導電型GaInP保護層を有し、前記第2導電型GaInP保護層上に、少なくとも第2の第2導電型AlGaInPクラッド層、第2導電型GaInP中間層、第2導電型GaAsコンタクト層を含んで成るストライプ状のメサを有し、前記メサの両脇に、前記メサとほぼ同じ高さから成る平坦部を有し、前記メサおよび前記平坦部を覆うように設けられた電極を有することを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-337689
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-247403   出願人：ゼロックスコーポレイション