特許
J-GLOBAL ID：200903016551658413
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-247403
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162095
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザのリッジ(うね状)構造を形成するためのエッチング過程を従来よりも容易にすると共に、光学的に透過性であるエッチストップ層を備える半導体レ-ザを提供する。【構成】 基体11と、その基体11上にエピタキシャル成長した、1以上の量子井戸を有する活性層15と、活性層15上の光閉じ込め層16と、クラッド層18とを有する本体を備えると共に、クラッド層18と基質11との間にP-N接合が形成され、更に、クラッド層18内に又はそれに隣接して設けられたエッチストップ層22を有する半導体レーザである。エッチストップ層22は、レーザによって発せられた放射の波長に実質的に透過性である歪みが付与された層を生ずる組成であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基体と、その基体上にエピタキシャル堆積した、1以上の量子井戸を有する活性層と、活性層上の光閉じ込め層と、クラッド層とを有する本体を備えると共に、クラッド層と基体との間にP-N接合が形成され、更に、クラッド層内に又はそれに隣接して設けられたエッチストップ層を有し、所定波長の放射を発する半導体レーザにおいて、(a)前記エッチストップ層は、レーザによって発せられた放射の波長に実質的に透過性がある歪みの付与された層を生ずる組成を有することを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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