特許

J-GLOBAL ID：200903099923449525

銅拡散防止膜用研磨組成物および半導体装置の製造方法

発明者： 林 俊秀 ,  小林 信雄 ,  山内 克彦 ,  野中 幹男 ,  平林 英明 ,  桜井 直明
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312944
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152785
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】銅拡散防止膜を高速度で研磨することが可能な銅拡散防止膜用研磨組成物を提供しようとものである。【解決手段】コロイダルシリカ粒子およびこのコロイダルシリカ粒子のゼータ電位をプラス側にシフトさせる量のpH調整剤を含むことを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

コロイダルシリカ粒子およびこのコロイダルシリカ粒子のゼータ電位をプラス側にシフトさせる量のpH調整剤を含むことを特徴とする銅拡散防止膜用研磨組成物。

IPC (4件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3205

FI (5件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  H01L21/88 K

Fターム (28件)：

3C058AA07 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17 ,  5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH22 ,  5F033HH32 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-385822   出願人：株式会社トクヤマ