集積回路の多層配線形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145549
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340952
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】理想的なステップカバレッジが実現でき、かつ量産性に優れた金属配線および金属プラグを形成する集積回路の多層配線形成方法を提供する。【解決手段】レジスト浸食技術により誘電膜上に浅い溝ならびに段差付の深い溝を形成し、CVD(化学的気相成長法)により金属膜を浅い溝ならびに段差付の深い溝に埋め込むものであって、段差付の深い溝によって理想的なステップカバレッジが実現し、プラズマエッチバックまたはCMP(化学的機械的研磨法)により浅い溝ならびに段差付の深い溝以外の領域にある金属膜を除去して、浅い溝の内部に金属配線を形成し、段差付の深い溝の内部に金属プラグを形成する構成により、多層配線集積回路の大量生産に応用することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体ウェハの表面に第1誘電膜を形成し、かつ前記シリコン半導体ウェハの表面に第1導電材料を設けるステップと、第2誘電膜を形成するステップと、リソグラフィにより第1レジストパターンを形成し、この第1レジストパターンをエッチマスクとして、エッチングにより前記第1誘電膜の一定厚さならびに前記第2誘電膜をエッチアウトすることによって、前記第1誘電膜の表面に浅い溝を形成するステップと、前記第1レジストパターンの一部分をサイドからエッチアウトし、前記第2誘電膜の一部分を露出させ、さらにエッチングにより露出された前記第2誘電膜をエッチアウトするとともに、エッチングを前記第1誘電膜の表面でストップさせるステップと、前記第1レジストパターンを除去するステップと、リソグラフィにより第2レジストパターンを形成して、前記浅い溝の一部分および前記第2誘電膜の一部分を被覆するとともに、浅い溝の他部分および前記第2誘電膜の他部分を露出させるステップと、前記第2レジストパターンならびに前記第2誘電膜の露出した部分をエッチマスクとして、エッチングにより前記第1誘電膜の露出した部分をエッチアウトするとともに、エッチングを前記第1誘電膜の下層にある第1導電材料でストップさせて、前記浅い溝を深い溝とするステップと、前記第2レジストパターンおよび前記第2誘電膜を除去して、前記第1誘電膜の表面に前記浅い溝ならびに深い溝を形成するステップと、金属膜を形成して、この金属膜により前記浅い溝および深い溝を埋め込むステップと、前記浅い溝および深い溝以外の領域の前記金属膜を除去して、前記浅い溝の内部に第1金属配線を形成し、前記深い溝の内部に第1金属プラグを形成し、この第1金属プラグを前記深い溝を介して前記第1導電材料に電気接続させるステップとを具備することを特徴とする集積回路の多層配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/28 L , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-233242
特開平4-233242
特開昭60-055617

全件表示

前のページに戻る