特許
J-GLOBAL ID：200903099945518652
スピンバルブ型薄膜素子の製造方法及びこのスピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-204763
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040210
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 固定磁性層を、非磁性中間層を介して、第1の固定磁性層と第2の固定磁性層の2層に分断して形成すると、交換結合磁界を大きくできるが、第1の固定磁性層との界面で交換結合磁界を発生させるのに熱処理を必要とする反強磁性材料を使用した場合には、熱処理中の印加磁場の大きさ及びその方向を適正に調節する必要性がある。また、第1の固定磁性層と第2の固定磁性層の磁気モーメントの大きさも適正に制御しなければならない。【解決手段】 第1の固定磁性層12の磁気モーメントの方が第2の固定磁性層14の磁気モーメントよりも小さくなっている。この場合、前記第1の固定磁性層の磁化を得たい方向と逆方向に、100〜1000Oe、または磁化を得たい方向に5kOe以上の磁場を印加する。これにより、前記第1の固定磁性層と第2の固定磁性層の磁化を反平行状態に保てる。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、磁場中熱処理によって前記反強磁性層との界面に発生する交換結合磁界により、一定方向に磁化が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成され、前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向に磁化が揃えられるフリー磁性層とを有し、反強磁性層、固定磁性層、非磁性導電層、及びフリー磁性層が一層ずつ形成されたシングルスピンバルブ型薄膜素子の製造方法において、前記固定磁性層を、非磁性中間層を介して、反強磁性層に接する第1の固定磁性層と、非磁性導電層に接する第2の固定磁性層の2層に分断して形成する際に、前記第1の固定磁性層の磁気モーメント(飽和磁化Ms・膜厚t)と、第2の固定磁性層の磁気モーメントを異なる大きさで形成する工程と、シングルスピンバルブ型薄膜素子を成膜した後、磁場中熱処理を施す際に、前記第1の固定磁性層の磁気モーメントが、第2の固定磁性層の磁気モーメントよりも大きい場合、前記第1の固定磁性層の磁化を向けたい方向に、100〜1000Oe、または5kOe以上の磁場を印加し、あるいは第1の固定磁性層の磁気モーメントが第2の固定磁性層の磁気モーメントよりも小さい場合、第1の固定磁性層の磁化を向けたい方向と逆の方向に100〜1000Oe、または前記第1の固定磁性層の磁化を向けたい方向に5kOe以上の磁場を印加する工程と、を有することを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子の製造方法。
Fターム (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
